报告题目：高性能二维电子设备的载流子迁移率和接口属性的调控
报告人：杨明博士
报告时间：2023年4月12日16:00-17:00
报告地点：电子与信息工程学院4B304
内容摘要：二维半导体，如二硫化钼（MoS2），有可能在未来的电子设备中取代硅。然而，室温下二维MoS2的低载流子迁移率及其与高k电介质的劣质界面仍然是高性能纳米电子学的关键挑战。本次报告将介绍通过在二维MoS2中引入波纹晶格结构，由于固有介电常数的增加和声子散射的抑制，可以在室温下实现创纪录的高载流子迁移率。对于传统高k电介质与二维MoS2之间的界面，我们发现加氢是钝化悬挂键并改善界面性能的理想方法，其中氢化可以选择性地发生在Si3N4和HfO2等高k电介质上，并且不影响二维半导体MoS2。最后，介绍一种数据驱动方法，以加速开发无机分子晶体，将其作为基于二维MoS2电子器件的高性能高k电介质。研究成果对加深二维半导体中载流子迁移率及其与高k电介质界面的理解，开发高性能二维电子和光电器件具有重要意义。
报告人简介：杨明，香港理工大学应用物理系助理教授、博士生导师，研究方向为利用高通量筛选、高通量第一性原理计算、机器学习等研究能源与催化材料、二维材料的各种物理性质与器件应用，理解与调控二维半导体材料与介电层、金属接触的界面性质。国际权威刊物如Nat. Electronics,Nat. Nanotechn.,Nat. Physics, Nat. Commun., JACS, Adv. Mater. Nano Lett.,等发表论文150余篇（Google Scholar总引用次数超5300，H-index 41）、3项PCT专利、并贡献石墨烯手册的相关章节。
（撰稿人：李秀艳；审核人：牛萍娟）
电子与信息工程学院
2023年4月11日
